[发明专利]自举电容的充电的电路无效

专利信息
申请号: 96107442.6 申请日: 1996-05-15
公开(公告)号: CN1097855C 公开(公告)日: 2003-01-01
发明(设计)人: C·迪兹;F·马逖诺尼;M·塔兰托拉 申请(专利权)人: SGS-汤姆斯微电子有限公司
主分类号: H01L29/00 分类号: H01L29/00;H03K17/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 范本国
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一个采用集成LDMOS晶体管并包括一个用来防止转换期间集成LDMOS结构的寄生晶体管打开的电路器件的自举电容充电电路,有至少一个连接在源和多个结中的第一个结(D1)之间的开关(INT1)和一个连接在体和电流发生器之间的限流电阻(R),开关(INT1)在自举电容的充电期间保持打开,当自举电容的充电电压达到预设阈值时关闭。进一步,通过用控制级(T1,R1)-该级根据限流电阻(R)上的电压降来响应-来控制放电通路(T2),防止了体电压VB超过源电压(VS)与Vbe之和。这一体电压控制电路被一个与第一开关(INT1)协调驱动的第二开关(INT2)启动。
搜索关键词: 电容 充电 电路
【主权项】:
1.一种自举电容的充电电路,它采用一个集成LDMOS晶体管,包括一个在源结点和体结点间由n个直接偏置的结组成的用来防止瞬态时LDMOS结构的寄生PNP晶体管打开的电路器件,以及至少一个连接到地电位的电流发生器,该电流发生器连接在上述体结点和地结点之间,其特征在于包括:至少一个开关,它在上述源结点和上述n个直接偏置的结的第一个结之间;一个限流电阻连接在上述体结点和上述电流发生器之间;上述开关在上述自举电容的充电期间保持打开且当自举电容的充电电压达到预设的阈值时被关闭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SGS-汤姆斯微电子有限公司,未经SGS-汤姆斯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96107442.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top