[发明专利]自举电容的充电的电路

权利要求书

1.一种自举电容的充电电路，它采用一个集成LDMOS晶体管，包括一个在源结点和体结点间由n个直接偏置的结组成的用来防止瞬态时LDMOS结构的寄生PNP晶体管打开的电路器件，以及至少一个连接到地电位的电流发生器，该电流发生器连接在上述体结点和地结点之间，其特征在于包括：

至少一个开关，它在上述源结点和上述n个直接偏置的结的第一个结之间；

一个限流电阻连接在上述体结点和上述电流发生器之间；

上述开关在上述自举电容的充电期间保持打开且当自举电容的充电电压达到预设的阈值时被关闭。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于上述的预设阈值大于或等于VS-(n+1)Vbe，其中VS是LDMOS的源电压。

3.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于它包含一个能防止体电压超过源电压与Vbe之和的回路，该回路通过建立一条上述体的放电通路来实现且该回路由控制级来启动，该控制级对从上述限流电阻上检测到的电压降产生响应。

4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于上述的控制级包含一个能与上述第一个开关一起被协调驱动的第二开关。

5.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于上述的第一个开关被一个根据自举电容的充电电压响应的控制电路驱动。

6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于上述的控制电路包括一个比较器，一个由上述的比较器的输出来驱动的电平移位电路，该电平移位电路能强制电流流过连接在上述电平移位电路的输出结点和地结点之间的电阻，

一个逻辑与非门或其等效电路，其特征是有一个第一输入端耦合到上述电阻，一个第二输入端由一个使能逻辑信号来控制，一个输出端耦合到上述开关的控制端。

7.根据权利要求4或6所述的充电电路，其特征在于上述门的输出端耦合到上述第一个和第二个开关的控制端。

8.一个用来驱动由一对分立场效应功率晶体管组成的、其电源电压比集成驱动电路的电源电压高的推挽功率级的集成器件，该集成器件包括一个外连接的自举电容的充电电路，该电容由与上述更高电压连接的分立功率晶体管的驱动级供电，其特征在于所述外连接自举电容是用如权利要求1-6所描述的电路来充电。

9.一个用来驱动由一对分立场效应功率晶体管组成的、其电源电压比集成驱动电路的电源电压高的推挽功率级的集成器件，该集成器件包括一个外连接的自举电容的充电电路，该电容由与上述更高电压连接的分立功率晶体管的驱动级供电，其特征在于所述外连接自举电容是用如权利要求7所描述的电路来充电。