[发明专利]非易失性半导体存储装置无效
| 申请号： | 96105871.4 | 申请日： | 1996-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1096081C | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤宁夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有分别保持第1数据和第2数据的第1触发器电路和第2触发器电路、和已连到这些触发器电路上的位线和存储单元的非易失性半导体存储装置中、用第1触发器进行下位位的读出和数据装入，用第2触发器进行上位位的读出和数据装入。本发明可以容易地进行多值存储单元的读出、写入、验证而不需大规模地增加电路规模，也不必应用微细加工技术、其结果可以实现低造价的非易失性半导体存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：存储单元，与位线相连，在所述存储单元的每个中存储第一和第二数据；电压产生电路，用于多个不同的电平的参考电压，并将参考电压在数据写入和数据读出时提供给所述存储单元的栅极；以及第一和第二存储电路，与所述位线每一个相连，用于在数据写入时保持将要写入所述存储单元之一的第一和第二数据并在数据读出时根据多个参考电压保持从所述存储单元读出的第一和第二数据。
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