[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 96101296.X | 申请日： | 1996-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1080926C | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 长野能久;藤井英治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/324;H01G4/33;H01G4/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。$#! | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序：在已形成电路元件的基片上，形成白金膜下电极、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和白金膜上电极的工序；使用包含氯、溴和碘中至少一种的蚀刻气体，有选择地对所述白金膜上电极和所述介质膜进行干式蚀刻的工序；在所述干式蚀刻后，含氟气体放电所产生等离子体照射的工序和对所述白金膜下电极进行蚀刻的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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