[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 96101296.X | 申请日： | 1996-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1080926C | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 长野能久;藤井英治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/324;H01G4/33;H01G4/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序：在已形成电路元件的基片上，形成白金膜下电极、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和白金膜上电极的工序；使用包含氯、溴和碘中至少一种的蚀刻气体，有选择地对所述白金膜上电极和所述介质膜进行干式蚀刻的工序；在所述干式蚀刻后，含氟气体放电所产生等离子体照射的工序和对所述白金膜下电极进行蚀刻的工序。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：所述含氟气体放电所产生等离子体照射的工序，包括用氟替换附着在所述白金膜上电极和所述介质膜的侧壁以及附着在因所述干式蚀刻而露出的所述白金膜下电极的表面的蚀刻气体分解生成物的工序。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：所述含氟气体至少包括四氟化碳、三氟化甲烷、三氟化氮、氟化氙和六氟化硫中的一种。
4.一种半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序：在已形成电路元件的基片上，形成白金膜下电极、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和白金膜上电极的工序；使用包含氯、溴和碘中至少一种的蚀刻气体，有选择地对所述白金膜上电极和所述介质膜进行干式蚀刻的工序；在所述干式蚀刻后，加热所述基片的工序、并且所述加热工序在惰性气体或者真空中进行，和对所述白金膜下电极进行蚀刻的工序。
5.如权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：所述加热工序在150℃开始到所述半导体器件的特性不产生实质变化的温度范围内进行。
6.如权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：所述加热工序在150℃开始到450℃的温度范围内进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
