[发明专利]曝光方法以及用该方法制造半导体集成电路器件的方法

摘要

一种能够产生具有良好反差和对称性的位置检测信号的目标图形，该目标图形由光波长为λ、数值孔径为NA且局部相干为σ的位置检测光学系统检测，由具有隆起的点部或线部1a和设于1a周围的重复台阶部分1b构成，隆起宽度小于0.5λ(1+σ)NA，1b的步距小于λ(1+σ)/NA且宽度小于0.5λ(1+σ)/NA。另一种目标图形由点部或线部2a及重复台阶部分2b构成，2a的凹下宽度小于0.5λ(1+σ)/NA，而2b在2a周围且步距小于λ(1+σ)/NA而宽度小于0.5λ(1+σ)/NA。

主权项

1.一种曝光工艺，其中将原版上所需的图形通过一个缩小投影光学系统转移到半导体晶片上，且其中所述的原版和所述的半导体晶片通过位置检测光学系统借助于对目标图形进行检测而对准，此曝光工艺包含：在一部分上述半导体晶片上形成一个目标图形，其中或其背景处包括具有被上述缩小投影光学系统而不被上述位置检测光学系统所分辨的步距和宽度的重复的台阶；以及利用上述目标图形使上述半导体晶片与上述原版对准。