[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明揭示了一种具有强电介质电容的半导体器件的制造方法，其步骤包括在已形成ＭＯＳ晶体管的半导体衬底上形成强电介质电容，形成覆盖其全部表面的层间绝缘膜，在该绝缘膜上形成与ＭＯＳ晶体管扩散层相通的第一接触孔，在氢中作热处理，在层间绝缘膜上形成与上述电容的上电极和下电极相通的第２接触孔，最后进行电极布线。在第二接触孔形成前进行氢中热处理，上述电容特性不会劣化，且能降低半导体衬底和ＭＯＳ晶体管栅极绝缘膜间的界面能级。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括下述步骤：在已形成集成电路的半导体衬底上形成由下电极、强电介质膜和上电极构成的强电介质电容的步骤；形成覆盖所述集成电路和所述强电介质电容的层间绝缘膜的步骤；在所述层间绝缘膜上形成与所述集成电路的扩散层相通的第1接触孔步骤；所述第1接触孔形成后，在氢气氛中作热处理的步骤；所述热处理后，在上述层间绝缘膜上形成与上述下电极和上电极分别相通的第2接触孔的步骤；分别形成经所述第1和第2接触孔连至上述扩散层、上电极及下电极的电极布线的步骤。