[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 95100639.8 | 申请日： | 1995-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1059516C | 公开（公告）日： | 2000-12-13 |
| 发明（设计）人： | 那须徹;井上敦雄;长野能久;松田明浩;有田浩二 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/768;H01L21/324;H01L21/314;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括下述步骤：
在已形成集成电路的半导体衬底上形成由下电极、强电介质膜和上电极构成的强电介质电容的步骤；
形成覆盖所述集成电路和所述强电介质电容的层间绝缘膜的步骤；
在所述层间绝缘膜上形成与所述集成电路的扩散层相通的第1接触孔步骤；
所述第1接触孔形成后，在氢气氛中作热处理的步骤；
所述热处理后，在上述层间绝缘膜上形成与上述下电极和上电极分别相通的第2接触孔的步骤；
分别形成经所述第1和第2接触孔连至上述扩散层、上电极及下电极的电极布线的步骤。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述热处理步骤是在350℃-550℃范围内进行的。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述热处理步骤包括在等离子体氢中作处理的步骤。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述等离子体氢中的处理是在1.333-13.332帕的压力范围中进行的。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成层间绝缘膜的步骤包括形成氮化硅膜的步骤。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅膜的步骤包括减压CVD法。
7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅膜的步骤包括溅射法。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成层间绝缘膜的步骤包括形成含氮化硅膜的两层以上的多层膜的步骤。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成多层膜的步骤包括减压CVD法。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成多层膜的步骤包括溅射法。
11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成多层膜的步骤包括形成氮化硅膜和含有磷的氧化硅膜两层膜的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
