[发明专利]变容二极管的制作方法

摘要

用ＢＩＣＭＯＳ工艺制作了一种变容管（１０、１１５、１２２）。通过用Ｎ型掺杂剂对外延层（２２）进行掺杂形成变容管区（１３）的Ｎ阱（２８）。通过用Ｎ型掺杂剂对Ｎ阱（２８）进一步掺杂形成阴极区（５５、１３２）。将外延层（２２）上的多晶硅层（６２、８６）图形化以形成阴极电极（９１、１１４）。用Ｎ型掺杂剂掺杂阴极电极（９１、１１４）。将邻近于阴极区（５５、１３２）的区域掺杂成轻掺杂区（１０３、１１７）。用Ｐ型掺杂剂掺杂轻掺杂区（１０３、１１７）以形成阳极区（１０９、１１９）。

主权项

1.一种制造带有MOS、双极和变容管器件的半导体结构的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一个带有MOS、双极和变容管有源区的隔离结构，每一有源区包括一个掺杂的阱；在双极有源区形成一个第一掺杂区，在变容管有源区形成一个第二掺杂区；在MOS、双极和变容管有源区上方形成一第一半导体层；在双极有源区掺杂阱中形成一个有源基区；在双极和变容管有源区上方的那部分第一半导体层上形成介电层；在介电层中形成一个窗口，窗口延伸到第一半导体层；在MOS、双极和变容管有源区上方形成一第二半导体层；在MOS有源区中形成一个栅电极，在双极有源区中形成发射极和收集极电极，以及在变容管有源区上形成一个第一变容管电极，其中的栅极、发射极、收集极和第一变容管的电极由第一和第二半导体层形成，而发射极电极延伸到窗口之中；对发射极、收集极和第一变容管电极进行掺杂；在MOS有源区中形成自对准区和漏区，并在变容管有源区中形成自对准变容管掺杂区；在变容管有源器件区上形成一个第二变容管电极；以及从发射极电极通过窗口将一个发射极区扩散到双极有源区掺杂阱中。