[发明专利]半导体器件

摘要

一种横向DMOSTRESURF型半导体器件，包括第1导电型的半导体本体和毗连表面的第2导电型表面区。多个第1导电型的击穿电压增高区设在背栅区与漏区间。按照本发明，至少背栅区的形成区和最靠近背栅区的第1击穿电压增高区的一个区，设有至少一伸向另一区的部分，该部分处，这个区与另一个区间的距离要小于这个区相邻部分处的距离。通过这个凸出部能发生背栅区与第1击穿电压增高区之间的电荷交换，使半导体器件能更快地开关。

主权项

1.一种横向DMOST(LDMOST)的RESURF型半导体器件，包括：本质上为第1导电型的一半导体本体和毗连表面的一表面区，表面区为与第1导电型相反的第2导电型，该区远离表面侧与半导体本体形成pn结；而LDMOST包括，一背栅区，以第1导电型表面区的形式设在表面区内，一源区，以第2导电型表面区的形式设在背栅区内以及一沟道区，限定在源区与背栅区的一侧之间，并且一漏区，离背栅区一段距离为第2导电型的形式，且多个第1导电型的击穿电压增高区都设在毗连背栅区与漏区之间的表面，其中至少背栅区形成区与最靠近背栅区的第1击穿电压增高区的一个区，设有至少一个凸出伸向不具有凸出部的另一个区的部分，在该凸出部分处，具有凸出部的区与不具有凸出部的区之间的距离要小于具有凸出部的区的相邻部分处，其特征在于，该凸出部分与不具有凸出部的另一个区为一表面区插入部所分开，各区之间在凸出部处的距离是如此之小，以致可以穿通进行电荷传输。