[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种横向DMOST(LDMOST)的RESURF型半导体器件，包括：本质上为第1导电型的一半导体本体和毗连表面的一表面区，表面区为与第1导电型相反的第2导电型，该区远离表面侧与半导体本体形成pn结；而LDMOST包括，一背栅区，以第1导电型表面区的形式设在表面区内，一源区，以第2导电型表面区的形式设在背栅区内以及一沟道区，限定在源区与背栅区的一侧之间，并且一漏区，离背栅区一段距离为第2导电型的形式，且多个第1导电型的击穿电压增高区都设在毗连背栅区与漏区之间的表面，其中至少背栅区形成区与最靠近背栅区的第1击穿电压增高区的一个区，设有至少一个凸出伸向不具有凸出部的另一个区的部分，在该凸出部分处，具有凸出部的区与不具有凸出部的区之间的距离要小于具有凸出部的区的相邻部分处，其特征在于，该凸出部分与不具有凸出部的另一个区为一表面区插入部所分开，各区之间在凸出部处的距离是如此之小，以致可以穿通进行电荷传输。

2.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，凸出部所在处的距离小于5μm。

3.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，具有伸长的沟道区，其宽度要大于该沟道区的长度，凸出部位于沟道区的狭端近旁。

4.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，具有伸长的沟道区，其宽度要大于该沟道区的长度，凸出部位于沟道长边所在处，并伸延一个宽度，该宽度要比LDMOST的沟道宽度小。

5.按照权利要求4的一种半导体器件，其特征在于，凸出部所有宽度总计小于沟道宽度的10％。

6.按照权利要求4的一种半导体器件，其特征在于，凸出部所出现的位置，至少基本上均匀地分布在沟道区的宽度上。

7.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，至少相邻的击穿电压增高区的一个设有至少一个伸向不具有凸出部的另一个区的部分，在该部分所在处，具有凸出部的区与不具有凸出部的另一个区之间的距离小于具有凸出部的区相邻部分所在处的距离。

8.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，相邻的各击穿电压增高区彼此局部重叠。

9.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，各击穿电压增高区具有如此高的掺杂原子浓度，当在第1pn结加上电压，在至少局部全表面区厚度上使表面区耗尽时，而各击穿电压增高区不会被完全耗尽。

10.按照权利要求9的一种半导体器件，其特征在于，各击穿电压增高区具大于1.0×10¹²原子/cm²的掺杂原子浓度。

11.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，一介质层，该介质层至少部分覆盖以导电场板，并存在于背栅与漏区之间的表面上。

12.按照权利要求1的一种半导体器件，其特征在于，将第1导电型的另外击穿电压增高区设在背栅区底下的表面区与半导体本体的界面上，所掺杂的原子浓度要高于半导体本体的浓度。