[发明专利]保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法无效
| 申请号： | 92108460.9 | 申请日： | 1992-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1080334A | 公开（公告）日： | 1994-01-05 |
| 发明（设计）人： | 颜声辉;朱洪滨;侯印春;王四亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B27/02;C30B29/34 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 张泽纯,李兰英 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法，核心内容是用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层，在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体，晶体生长完成后，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 坩埚 生长 掺四价铬 高温 氧化物 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法，其特征在于其步骤是：1>铱坩埚外壁用等离子喷涂技术喷涂氧化锆保护层；2>将晶体生长的原料按配比装入铱坩埚并装入晶体生长单晶炉中；3>晶体生长炉膛抽空后再充入中性气体；4>通电加热，使坩埚和晶体原料的温度达1100℃～1500℃；5>将炉内再抽空后充入氧气，继续加热，至原料全部熔化；6>在晶体生长温度下恒温一小时后，开始下种引晶生长；7>晶体生长完成后，将炉膛抽空，切断电源，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。
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