[发明专利]保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法无效
| 申请号： | 92108460.9 | 申请日： | 1992-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1080334A | 公开（公告）日： | 1994-01-05 |
| 发明（设计）人： | 颜声辉;朱洪滨;侯印春;王四亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B27/02;C30B29/34 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 张泽纯,李兰英 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 坩埚 生长 掺四价铬 高温 氧化物 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法，其特征在于其步骤是：
1>铱坩埚外壁用等离子喷涂技术喷涂氧化锆保护层；
2>将晶体生长的原料按配比装入铱坩埚并装入晶体生长单晶炉中；
3>晶体生长炉膛抽空后再充入中性气体；
4>通电加热，使坩埚和晶体原料的温度达1100℃～1500℃；
5>将炉内再抽空后充入氧气，继续加热，至原料全部熔化；
6>在晶体生长温度下恒温一小时后，开始下种引晶生长；
7>晶体生长完成后，将炉膛抽空，切断电源，让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/92108460.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种齿轮多级变速方法和装置
- 下一篇：单独驱动的双轮电汽车
