[发明专利]从多元氧化物体系生长复合晶体的方法无效
| 申请号： | 90101774.4 | 申请日： | 1990-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1045999A | 公开（公告）日： | 1990-10-10 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·马蒂伊卡;埃里希·福尔凯尔;简·海斯马 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/26;C30B29/28;C01F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 齐曾度 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 自多元氧化物体系的熔体生长复合晶体的方法，该晶体至少有两个晶格位置，每个位置有不同数目的邻接氧离子，选择用作占据有最多数目的邻接氧离子的第一晶格位置的阳离子和占据其次较低数目的邻接氧离子的第二晶格位置的阳离子这样来生长均匀的复合晶体，以使第一晶格位置与第二晶格位置的阳离子键长之比的范围为0.7—1.5。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 氧化物 体系 生长 复合 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种从多元氧化物体系的熔体中生长复合晶体的方法，该晶体至少有两个晶格位置每个邻接不同数目氧离子，其特征在于以这样的方式生长均匀晶体，选择用来占据具有最多邻接氧离子数目的第一晶格位置之阳离子，和用来占据具有其次的较低邻接氧离子数目的阳离子，以使第一晶格位置阳离子键长与第二晶格位置阳离子键长之比的范围为0.7-1.5。
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