[实用新型]半导体存贮器无效
| 申请号： | 87213293.5 | 申请日： | 1987-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN2030761U | 公开（公告）日： | 1989-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李庆华 | 申请（专利权）人： | 李庆华 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型属于一种半导体存贮器元件。它是在PN结的P极和N极上安装了阻隔层。当将信号电压反偏接至PN结上时，利用PN结的反向导通或截止，就可以知道PN结记录的信号电压是“1”或“0”。当清“0”电压通过阻隔层以电场的形式作用于PN结，就能够消除PN结所记录的信号。本实用新型适用于计算机、数控技术及自动仪表等场合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存贮器 | ||
【主权项】：
一种在p-n结(1)的p极和n极上分别安装了至少一个电极(4)的半导体器件，其特征是至少在所述p-n结(1)的其中一极上安装了带电极(3)的阻隔层(2)，使得当电极(3)接上一个方向由p-n结(1)的n极指向p极的电压时，已经反向导通的p-n结(1)能够在电压消失后恢复至平衡p-n结状态。
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