[其他]离子镀膜用高压单脉冲引弧装置无效
| 申请号: | 86201021 | 申请日: | 1986-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN86201021U | 公开(公告)日: | 1986-11-05 |
| 发明(设计)人: | 游本章;黄经筒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 中国科学院专利事务所 | 代理人: | 方国成 |
| 地址: | 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型属于电气装置,它所公开的一种用于引燃离子镀膜机阴阳极之间直流电弧的高压单脉冲引弧装置有两个特点第一,能产生高压单脉冲,用于引燃离子镀膜机阴阳极之间的直流电弧;第二,整个引弧装置是附加在离子镀膜机主弧电源的输出端,利用主弧电源的空载输出电压供电,这样就使得离子镀膜机的主弧电源兼有引弧的功能,能完全省去一台单独的引弧电源。 | ||
| 搜索关键词: | 离子 镀膜 高压 脉冲 装置 | ||
【主权项】:
1、一种高压单脉冲引弧装置,其特征是它采用一个附加在离子镀膜机主弧电源[1]输出端的高压单脉冲引弧电路,这个高压单脉冲引弧电路连接在离子镀膜机主弧电源[1]的输出端[13]和[14]上,利用主弧电源[1]的空载输出电压供电而产生高压单脉冲,因而使离子镀膜机的主弧电源[1]兼有引弧的功能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/86201021/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





