[其他]电阻—氧化物—半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 86101937 | 申请日： | 1986-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN86101937B | 公开（公告）日： | 1988-05-18 |
| 发明（设计）人： | 叶安祚;杨长根 | 申请（专利权）人： | 江西大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 江西省专利服务中心 | 代理人： | 郭毅力,喻尚威 |
| 地址： | 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅型场效应晶体管，其栅极由电阻材料构成。在电阻栅极垂直于源漏联线方向的端线的两端制作了两个欧姆接触电极作为双栅端，其结构和功能上是等效的。本器件具有不截止、遥截止或锐截止转移特性，可根据需要获得所需的截止电压值和跨导值，两个栅端可同时作为控制栅和信号栅使用。本器件的应用扩大了场效应管的应用范围，可使电路得到简化，能有效地解决大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种电阻-氧化物-半导体场效应晶体管，由一种导电类型的源区(14)和漏区(16)、另一种导电类型的衬底(15)、以及栅极氧化层(13)和栅极电阻层(12)组成，其特征是在栅极电阻层的两端制作两个欧姆接触电极，它们的联线方向与源漏间的联线方向垂直。
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