[实用新型]一种用于半导体设备的进气装置及半导体设备有效
申请号: | 202320700062.8 | 申请日: | 2023-03-31 |
公开(公告)号: | CN219568053U | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 姜崴;周伟杰;费腾 | 申请(专利权)人: | 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型公开一种用于半导体设备的进气装置及半导体设备,涉及半导体设备技术领域。该进气装置包括进气管道和进气块,进气管道的相对两端分别与液态源系统和进气块连接,进气管道包括管道本体和多个连接耳,多个连接耳沿管道本体的外周间隔设置,进气块上设置有进气口,管道本体与进气口对应设置,连接耳与进气块固定连接。该进气装置及半导体设备能够解决现有技术中液态源容易发生冷凝现象的问题,同时还能够避免影响液态源的进气管道与进气块之间的密封性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体设备 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的