[实用新型]一种反应腔组件及等离子体气相沉积系统有效
| 申请号: | 202320646506.4 | 申请日: | 2023-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN219568050U | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 黄春林;陈森林;李俊宏;李东亚 | 申请(专利权)人: | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/511;B01D49/00 |
| 代理公司: | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人: | 孔鹏 |
| 地址: | 610095 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供了一种反应腔组件及等离子体气相沉积系统,属于微波系统领域。上述系统包括机架及上述反应腔组件,反应腔组件的内腔中设置有隔离板,通过隔离板上设置有多孔陶瓷对腔体中的粉尘进行吸附,从而降低反应腔中的粉尘含量。使用时,抽气泵设置在抽气管的出气口,其通过抽气管中产生负压使得反应腔内的气体通过多孔陶瓷进入到抽气管中,并最终被排出。而多孔陶瓷能够对气流中的粉尘进行有效吸附,从而降低反应腔中的粉尘含量;进而能够确保反应腔中的反应能够正常进行;进而提高了整体工作效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 反应 组件 等离子体 沉积 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都沃特塞恩电子技术有限公司,未经成都沃特塞恩电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202320646506.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种建筑工程用墙体砌筑装置
- 下一篇:一种布料用泼水装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





