[实用新型]稳定型瞬态抑制二极管

摘要

稳定型瞬态抑制二极管。涉及半导体器件。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的稳定型瞬态抑制二极管。包括从下而上依次连接的N+层、N层、P+层；所述P+层上设有向下蚀刻至N层的椭圆结构的蚀刻槽；所述刻蚀槽上设有从下而上依次连接的SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜，所述SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜端部分别延伸至P+层的顶面，并与器件的边缘设有间距；所述P+层的顶面中部设有与SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜连接的上电极金属层。本实用新型在工作中，在高压TVS制造工艺中，将SIPOS膜钝化与Si3N4及SiO2膜钝化方式结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层Si3N4及致密的SiO2膜，具有结构简单、制造方便的显著特点。