[实用新型]稳定型瞬态抑制二极管有效
| 申请号： | 202320630972.3 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN219553639U | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳定 瞬态 抑制 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.稳定型瞬态抑制二极管，其特征在于，包括从下而上依次连接的N+层、N层、P+层；
所述P+层上设有向下蚀刻至N层的椭圆结构的蚀刻槽；
所述蚀刻槽上设有从下而上依次连接的SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜，所述SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜端部分别延伸至P+层的顶面，并与器件的边缘设有间距；
所述P+层的顶面中部设有分别与SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜连接的上电极金属层。
2.根据权利要求1所述的稳定型瞬态抑制二极管，其特征在于，所述N+层的底部设有下电极金属层。
3.根据权利要求1所述的稳定型瞬态抑制二极管，其特征在于，所述上电极金属层的顶面高于SI3N4膜的顶面。
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