[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 202320564723.9 申请日: 2023-03-21
公开(公告)号: CN219449956U 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 薛卫明;马远;潘尧波 申请(专利权)人: 中电化合物半导体有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 上海汉之律师事务所 31378 代理人: 陈强
地址: 315336 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种碳化硅单晶生长装置,具体涉及碳化硅晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括:坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属结构和底盘;所述坩埚内设有用于放置碳化硅原料的第一区域;设置于所述坩埚的顶部并与所述坩埚可拆卸地连接;所述至少一层惰性金属结构通过电极杆设置于所述第一区域与所述籽晶托盘之间,且所述电极杆与第一电源电连接;所述底盘设置在所述坩埚的下方,所述底盘与第二电源连通。本实用新型的碳化硅单晶生长装置在碳化硅单晶生长过程中将碳化硅原料分解产生的碳颗粒在电场力的作用下收集起来,避免碳颗粒进入到碳化硅晶体中形成碳包裹物,提高了碳化硅晶体的质量。
搜索关键词: 一种 碳化硅 生长 装置
【主权项】:
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