[实用新型]一种MEMS压力传感器有效

专利信息
申请号: 202320470825.4 申请日: 2023-03-13
公开(公告)号: CN219223988U 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 蔡春华;万蔡辛;赵成龙;巩啸风;何政达;陈骁 申请(专利权)人: 无锡韦感半导体有限公司
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;B81B7/02;G01L9/08
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 甄丹凤
地址: 江苏省无锡市新吴区菱湖*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种MEMS压力传感器,MEMS压力传感器,包括:衬底;热电堆结构,位于所述衬底上;键合层,位于所述衬底上,围绕所述热电堆结构;透明层,位于所述键合层远离所述衬底的表面,所述透明层靠近所述衬底的表面开设有凹槽,所述凹槽内具有透镜结构;以及反射层,位于所述透明层远离所述键合层的表面,所述反射层中具有贯穿所述反射层的通孔;其中,所述通孔的位置与所述凸透镜的位置相对应,所述通孔用于接收红外光,使得红外光照射至所述透明层,进而经由透镜结构照射至所述热电堆结构。
搜索关键词: 一种 mems 压力传感器
【主权项】:
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