[实用新型]一种MEMS压力传感器有效
| 申请号: | 202320470825.4 | 申请日: | 2023-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN219223988U | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
| 发明(设计)人: | 蔡春华;万蔡辛;赵成龙;巩啸风;何政达;陈骁 | 申请(专利权)人: | 无锡韦感半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01L1/16 | 分类号: | G01L1/16;B81B7/02;G01L9/08 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 甄丹凤 |
| 地址: | 江苏省无锡市新吴区菱湖*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mems 压力传感器 | ||
1.一种MEMS压力传感器,其特征在于,包括:
衬底;
热电堆结构,位于所述衬底上;
键合层,位于所述衬底上,围绕所述热电堆结构;
透明层,位于所述键合层远离所述衬底的表面,所述透明层靠近所述衬底的表面开设有凹槽,所述凹槽内具有透镜结构;以及
反射层,位于所述透明层远离所述键合层的表面,所述反射层中具有贯穿所述反射层的通孔;
其中,所述通孔的位置与所述透镜结构的位置相对应,所述通孔用于接收红外光,使得红外光照射至所述透明层,进而经由透镜结构照射至所述热电堆结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征在于,所述衬底具有背腔,所述背腔贯穿所述衬底。
3.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器,其特征在于,包括介质层,所述介质层位于所述衬底上,所述热电堆结构埋设于所述介质层内。
4.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器,其特征在于,所述介质层包括层叠的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层位于所述衬底的第一表面,所述第二介质层位于所述第一介质层的表面。
5.根据权利要求4所述的MEMS压力传感器,其特征在于,包括接触金属,所述接触金属从所述衬底的第二表面向着所述第二介质层的方向延伸,贯穿所述衬底和所述第一介质层,停止于所述第二介质层内部。
6.根据权利要求5所述的MEMS压力传感器,其特征在于,所述热电堆结构包括多个热电偶以及多个金属连接线,所述金属连接线将多个相互分离的热电偶首尾顺序连接,以使得多个所述热电偶串联,形成热电堆结构。
7.根据权利要求6所述的MEMS压力传感器,其特征在于,串联的热电偶的两端经由所述金属连接线连接至相应的接触金属。
8.根据权利要求5所述的MEMS压力传感器,其特征在于,包括焊盘,所述焊盘位于所述衬底的第二表面,所述焊盘与相应的接触金属电连接。
9.根据权利要求4所述的MEMS压力传感器,其特征在于,所述第一介质层为氧化硅层,所述第二介质层为氮化硅层。
10.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器,其特征在于,所述键合层内部中空,所述键合层的内表面、所述透明层的凹槽的内表面以及所述介质层的表面限定密封的空腔,所述热电堆结构以及所述透镜结构位于所述空腔内。
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