[实用新型]芯片加热系统有效
| 申请号： | 202320330552.3 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN219610362U | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 殷文亮;汪培鑫 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种芯片加热系统，包括加热腔室、加热单元、进气单元、冷泵、阀门闸、水汽监测单元以及手阀其中所述加热单元设置于所述加热腔室内，用于加热所述芯片；所述进气单元连接于所述加热腔室，用以朝向所述加热腔室输送工艺气体；所述冷泵连接于所述加热腔室，用以抽取所述加热腔室内的气体；所述水汽监测单元设置于加热腔室上，用以实时测量所述加热腔室内的水汽含量，以调整所述加热单元的加热时间。本申请通过实时监测腔室内的水汽含量变化，进而取得最适当的加热终止时间点，不仅可避免芯片未充分去水汽的情形，还能节省不必要的加热时间和电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 加热 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
