[实用新型]一种氮化镓外延结构有效
| 申请号： | 202320284268.7 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN219203165U | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 龚龙华;宋庆伟 | 申请（专利权）人： | 宽兆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 合肥创智铭企知识产权代理事务所(普通合伙) 34231 | 代理人： | 舒启超 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓外延结构，包括：衬底和外延层，所述衬底为腐蚀蓝宝石衬底，所述腐蚀蓝宝石衬底顶面设有岛状低温缓冲层，所述低温缓冲层顶面设有中温缓冲层，所述中温缓冲层顶面设有高温外延层，本实用新型通过腐蚀后的蓝宝石衬底，可以大大降低位错密度。此外腐蚀坑的中空结构可以释放应力，提高外延层的质量，同时中温缓冲层是以三维模式生长的，而再恢复高温生长时会迅速转变为二维模式，并且外延层表面光滑平整，可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 结构 | ||
【主权项】：
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