[实用新型]一种氮化镓外延结构有效
| 申请号： | 202320284268.7 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN219203165U | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 龚龙华;宋庆伟 | 申请（专利权）人： | 宽兆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 合肥创智铭企知识产权代理事务所(普通合伙) 34231 | 代理人： | 舒启超 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 结构 | ||
1.一种氮化镓外延结构，包括：衬底和外延层，其特征在于：所述衬底为腐蚀蓝宝石衬底(1)，所述腐蚀蓝宝石衬底(1)顶面设有岛状低温缓冲层(2)，所述低温缓冲层(2)顶面设有中温缓冲层(3)，所述中温缓冲层(3)顶面设有高温外延层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延结构，其特征在于：所述腐蚀蓝宝石衬底(1)为化学腐蚀蓝宝石衬底，尺寸范围为2-8inch。
3.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延结构，其特征在于：所述岛状低温缓冲层(2)为GaN缓冲层，所述岛状低温缓冲层(2)生长温度为500-600℃，所述岛状低温缓冲层(2)的形核形状呈顶部尺寸小底部尺寸小的梯形岛状，所述岛状低温缓冲层(2)的厚度范围为：15-20nm。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延结构，其特征在于：所述中温缓冲层(3)为GaN缓冲层，所述中温缓冲层(3)的生长温度为750-850℃，所述中温缓冲层(3)的厚度范围为：15-20nm。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延结构，其特征在于：所述高温外延层(4)为GaN外延层，所述高温外延层(4)的生长温度为1000-1050℃。
6.根据权利要求3所述的一种氮化镓外延结构，其特征在于：所述腐蚀蓝宝石衬底(1)腐蚀后的顶面上形成有凹坑，所述岛状低温缓冲层(2)生长时，横向生长速度是纵向生长速度的十倍以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宽兆科技（深圳）有限公司，未经宽兆科技（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202320284268.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
