[实用新型]碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 202320188636.8 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN219752492U | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 洪棋典;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置；碳化硅晶体生长装置包括坩埚和分隔组件，分隔组件设置于坩埚内，将坩埚的内腔分为第一腔室和第二腔室，第一腔室用于盛装碳化硅原料；其中，分隔组件包括层叠设置的多孔石墨板和金属碳化物多孔板。本实用新型的碳化硅晶体生长装置能够提高碳化硅晶体生长的良率，并且提高生长的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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