[发明专利]MIM电容及其制备方法在审
| 申请号： | 202310988889.8 | 申请日： | 2023-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN116723762A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱苗 | 申请（专利权）人： | 荣芯半导体（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容及其制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有第一电极层和覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成第二电极层，所述第二电极层包括覆盖所述绝缘层的种子层和位于所述种子层上的第一子电极层。通过本发明的方法，可以使得种子层与绝缘层接触的面更加平整，减少绝缘层接触的第二电极层中的尖端晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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