[发明专利]一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310966444.X | 申请日： | 2023-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116916663A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 胡袁源;仇鑫灿 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H10K30/10 | 分类号： | H10K30/10;H10K71/12;H10K71/15;H10K71/40 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 陈俊由 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种DJ相二维锡基钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，所述晶体管包括栅电极、介电层、插入层、半导体层、源电极、漏电极；所述插入层为碘化物插入层，所述半导体层为掺杂铵盐添加剂的DJ相锡基钙钛矿；所述半导体层是在所述插入层上形成；本发明通过在制备DJ相二维锡基钙钛矿半导体层前引入碘化物插入层和在钙钛矿前驱体溶液中加入铵盐添加剂来优化二维钙钛矿薄膜的结晶过程，从而提高了薄膜质量和相应器件的电学性能，最终获得了具有高迁移率和高稳定性的二维锡基钙钛矿薄膜晶体管，从而有利于推进该晶体管器件在显示、探测、突触及存储器件领域的进一步应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dj 二维 锡基钙钛矿 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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