[发明专利]一种DDR存储器采样校准方法及DDR存储器有效

专利信息
申请号: 202310963996.5 申请日: 2023-08-02
公开(公告)号: CN116665731B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 石志垚;孙浩涛;贾弘翊;韦嶔;张红荣 申请(专利权)人: 成都智多晶科技有限公司
主分类号: G11C11/4076 分类号: G11C11/4076;G11C11/4078;G11C11/4096;G11C29/02
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 勾慧敏
地址: 610095 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种DDR存储器采样校准方法及DDR存储器,该方法包括:初始化readclksel;B、接收读数据和第一采样时钟,根据readclksel暂定第一采样时钟的有效区间;对该区间内第一采样时钟的上下边沿数进行检测;若上下边沿数错误,判断readclksel是否已遍历完;若未完,调整readclksel后返回B;否则执行F;E、若上下边沿数正确,记录readclksel并判断readclksel是否已遍历完;若未完,调整readclksel后返回B,否则执行F;F、根据所记录的readclksel确定最终有效区间,并依此生成第二采样时钟进行采样。本发明可提高DDR存储器的采样精度。
搜索关键词: 一种 ddr 存储器 采样 校准 方法
【主权项】:
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