[发明专利]一种纳米碳化硅磨料的制备方法在审
| 申请号： | 202310948202.8 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116924409A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 覃文光;张文青;况亚伟;周潘潘 | 申请（专利权）人： | 苏州汉华光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;C09K3/14;C09G1/02;C01B32/05;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215556 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米碳化硅磨料的制备方法，包括以生物质碳为碳源，正硅酸乙酯为硅源，硝酸铁为催化剂，通过碳热还原制备出碳化硅纳米颗粒，对所述碳化硅纳米颗粒进行酸洗并在1000～1200℃下回火制得所述纳米碳化硅磨料，所述生物质碳是由干燥的生物质原料经过高温碳化得到。本发明制得的纳米碳化硅磨料磨削性能好，可达到较高的抛光速率，适用于半导体机械研磨抛光工艺，制备过程能耗低，成本小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 磨料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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