[发明专利]一种Cs3Cu2I5单晶的生长方法在审

专利信息
申请号: 202310935224.0 申请日: 2023-07-28
公开(公告)号: CN116926675A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 金长利;朱艳 申请(专利权)人: 科晶瑞思(苏州)科技有限公司
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B7/06
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王立普
地址: 215400 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种Cs3Cu2I5单晶的生长方法,涉及钙钛矿材料技术领域。本发明提供的Cs3Cu2I5单晶的生长方法包括以下步骤:将CsI、CuI、有机溶剂和酸性添加剂混合,得到前驱体溶液;所述CsI和CuI的摩尔比为3:2,所述酸性添加剂包括甲酸;将所述前驱体溶液加热进行单晶生长,得到Cs3Cu2I5单晶。本发明在Cs3Cu2I5前驱体溶液中加入酸性添加剂,通过改变Cs3Cu2I5单晶生长所需的溶剂配方,保护溶液中的铜离子和碘离子不被氧化,降低了Cs3Cu2I5单晶的生长速度,从而制备出内部无夹杂、透过率高,且结晶度好的高质量Cs3Cu2I5单晶。
搜索关键词: 一种 cs3cu2i5 生长 方法
【主权项】:
暂无信息
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