[发明专利]一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202310935008.6 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116657256A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 乔建东;吴江;郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将粒径为8‑40目的碳化硅粉料装填至模具中，然后进行预压，得到预压块体；将所述预压块体进行热压，得到所述碳化硅长晶用原料。本发明所述制备方法能够得到颗粒间结合力大且孔隙率可调的碳化硅长晶用粉料块体，该块体作为原料长晶时，经碳化后很难被温度梯度驱动带入到晶体生长的界面，有效解决了来自碳化硅粉料碳化的碳颗粒包裹物缺陷，因其多孔性，保证了气相组分的升华量和物质输运通道的畅通，提高了晶体的良率和晶片的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 长晶用 原料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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