[发明专利]一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种碳化硅长晶用原料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）将粒径为8-40目的碳化硅粉料装填至模具中，然后进行预压，得到预压块体；

（2）将步骤（1）所述预压块体进行热压，得到所述碳化硅长晶用原料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述模具为石墨筒；

步骤（1）所述装填至距离石墨筒上沿10mm以上。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述预压时，压头施加的压力为20-30kg；

步骤（1）所述预压的压头直径与石墨筒的内直径相同。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述热压包括抽真空、通入惰性气体、加热、加压和保温保压步骤；

所述抽真空和通入惰性气体后进行加热和加压步骤，所述加热和加压同时进行。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述加热至1000-1500℃；

所述加热的升温速率为10-15℃/min；

所述加热采用的加热器为电阻加热器；

所述加压至压头施加的压力为1-5吨；

所述加压的速率为4-25kg/min。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述保温保压的时间为10-20h；

所述抽真空至热压炉内的气压在10Pa以下；

所述通入惰性气体至热压炉内的气压为50-60KPa。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述热压后，在8-12h内冷却至100℃以下；

步骤（2）所述碳化硅长晶用原料的孔隙率为30-80%。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）将粒径为8-40目的碳化硅粉料装填至石墨筒模具中，其中，装填至距离石墨筒上沿10-15mm，然后进行预压，预压的压头直径与石墨筒的内直径相同，压头直接置于碳化硅粉料的上方，施加20-30kg的压力后，得到预压块体；

（2）抽真空至热压炉中的气压在10Pa以下，然后通入惰性气体至热压炉内的气压为50-60KPa，再将步骤（1）所述预压块体以10-15℃/min的升温速率线性加热至1000-1500℃，同时压头的压力以4-25kg/min的速率线性升压至1-5吨，然后保温保压10-20h，最后在8-12h内冷却至100℃以下，得到孔隙率为30-80%的所述碳化硅长晶用原料。

9.一种碳化硅长晶用原料，其特征在于，所述碳化硅长晶用原料采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到。

10.一种碳化硅晶体，其特征在于，所述碳化硅晶体长晶采用的原料为如权利要求9所述的碳化硅长晶用原料。