[发明专利]基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED有效
| 申请号： | 202310927826.1 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116705947B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。基于硅衬底的LED外延片包括硅衬底和依次设于硅衬底上的缓冲层、电阻层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；电阻层为周期性结构，周期数≥2，每个周期的电阻层均包括依次层叠的三元共掺GaN层、P型InAlN层和C掺AlN层；其中三元共掺GaN层中的掺杂元素为Y、Mg和C。实施本发明，可提升基于该LED外延片的LED器件的可靠性、发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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