[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310926608.6 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116639998A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张毅;崔西峰;高岩;韩宇;耿中航;于宗芝 | 申请（专利权）人： | 天津爱思达航天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/632;C04B35/636 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 邢月 |
| 地址： | 300000 天津市东丽区华明高*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多孔碳化硅陶瓷材料，该多孔碳化硅陶瓷由包括如下重量份的原料制成：碳化硅粉体50‑100份，氢氧化铝粉体10‑35份，烧结助剂1‑8份，造孔剂0.1‑5份，分散剂0.1‑5份，去离子水20‑100份；所述的烧结助剂为改性膨润土。本发明所述的多孔碳化硅陶瓷材料采用改性膨润土作为烧结助剂，通过羧甲基纤维素钠将木质素磺酸钠与膨润土进行网状连接，提高烧结助剂与碳化硅粉体的结合强度与结合效率，烧结后提高了陶瓷材料的孔隙率与机械性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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