[发明专利]碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质有效
| 申请号： | 202310905424.1 | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116629183B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫;李清;王潇迪;刘岩超 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F17/10;G06F111/10 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 王娟;曾利平 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 干扰 建模 方法 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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