[发明专利]大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法在审
| 申请号： | 202310858555.9 | 申请日： | 2023-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN116856057A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 梁涛;张津铖;薛琪超;潘雨婷;杨陈楹;邵宇川 | 申请（专利权）人： | 国科大杭州高等研究院 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 高燕 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)排出双温区管式炉中的空气，持续通入惰性气体和氧气的混合气并保持常压；(2)将钼源置于双温区管式炉中的下游温区中心并加热，钼源与氧气反应并挥发，在气体下游低温区域沉积生长，生成三氧化钼晶体。本发明的制备方法过程简单、产量高、制备时间短、获得的三氧化钼晶体尺寸大、质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 氧化钼 晶体 及其 金属 氧化 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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