[发明专利]一种基于LDMOS的静电释放器件

摘要

本申请公开了一种基于LDMOS的静电释放器件，包括衬底、阱区、漂移区、体掺杂区、源掺杂区、漏掺杂区、栅极和防静电沟槽隔离结构，其中，所述阱区和漂移区分别形成在所述衬底内且靠近所述衬底的表面；所述栅极位于在所述阱区和漂移区之间的衬底上；所述源掺杂区位于所述阱区内；若干所述防静电沟槽隔离结构形成在所述阱区内，且位于所述源掺杂区和所述栅极之间；所述体掺杂区形成在所述阱区内，且位于所述源掺杂区远离栅极的一侧；所述漏掺杂区位于所述漂移区内。本申请通过上述方案，实现了提高静电释放器件的抗静电能力的效果。