[发明专利]一种LED芯片制备方法及LED芯片在审
| 申请号： | 202310840345.7 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116565093A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王雪峰;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，方法包括步骤一，提供一外延片，在外延片上刻蚀出第一指定图形，并在外延片上沉积电流阻挡层，对电流阻挡层进行光刻，以使电流阻挡层的形状为第二指定图形，得到第一半成品芯片；步骤二，在第一半成品芯片上生长铜网格透明电极，并使铜网格透明电极的形状为第三指定图形，得到第二半成品芯片；步骤三，按照第四指定图形在第二半成品芯片上光刻出金属电极图形，并按照金属电极图形在第二半成品芯片上蒸镀出P金属电极及N金属电极，得到第三半成品芯片；步骤四，在第三半成品芯片上生长绝缘层，得到成品LED芯片。本发明在不影响LED发光效率的前提下降低了LED芯片的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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