[发明专利]一种选择性掺杂的钝化接触电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，公开一种选择性掺杂的钝化接触电池及其制备方法，制备方法包括：硅片正面制备选择性发射极结构，其包括P+发射极和位于硅片正面的局域的P++重掺杂区，P++重掺杂区位于P+发射极的下方；硅片背抛光面涂覆磷溶液，烘干，以形成磷涂覆层；磷溶液含浓度为0.1‑3mol/L的磷源；以磷涂覆层为磷掺杂源，用激光对硅片背面局域进行重掺杂，以形成N++重掺杂区；去除磷涂覆层；在硅片背面依次制备隧穿氧化层和N+掺磷多晶硅层；N++重掺杂区位于隧穿氧化层的上方；清洗后，对硅片进行钝化及金属化。该方法不会损伤背钝化接触结构，兼具较佳的钝化性和较低的背金属复合及接触电阻率，提高电池效率。