[发明专利]一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片在审
申请号: | 202310756422.0 | 申请日: | 2023-06-25 |
公开(公告)号: | CN116759471A | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 宋泽国;郝沁汾 | 申请(专利权)人: | 无锡芯光互连技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L27/144 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 闫彦飞 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片,该光电探测器包括:间隔预设距离的第一波导和第二波导;第二波导的形状为环形;衬底层,用于进行掺杂;第一掺杂区,在衬底层的设定区域通过掺杂形成;环形光吸收层,位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧,部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面;环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率;环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度,也可以降低光电探测器的寄生参数,提高了光电探测器的带宽。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 芯片 以及 光子 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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