[发明专利]半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构在审
| 申请号： | 202310725552.8 | 申请日： | 2023-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN116826513A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吴梦影;于海洋;李韶杰;赵秦丰;曹玉莲 | 申请（专利权）人： | 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/12 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 黄玲玉 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构，它属于有源芯片，其在高阶侧模有光场分布而基模无光场分布的双沟两侧的高折射脊台下生长离子吸收区和高阻区，其在增加高阶侧模损耗的同时，减小高阶侧模的增益，抑制高阶侧模激射，保证单横模激射。它主要包括包括离子吸收区和高阻区，在激光器双沟脊波导双沟两侧的高折射率脊台下生长离子吸收区和高阻区，离子吸收区为掺杂高阶侧模自由载流子吸收损耗区，即离子吸收层；高阻区为生长在P型限制层中与限制层材料晶格匹配的绝缘层，即高阻层；离子吸收层，离子吸收层位于P型掺杂限制层Ⅰ上方。本发明主要用于半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 dfb 激光器 流下 保持 单横模激射 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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