[发明专利]一种外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310696044.1 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116799038A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;叶碎银 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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