[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 202310693151.9 | 申请日: | 2023-06-13 |
公开(公告)号: | CN116435325B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 汪丹丹;郭哲劭 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种背照式图像传感器及其形成方法,所述背照式图像传感器包括衬底,提供一衬底,衬底包括正面和背面,衬底的正面包括多个像素区域,衬底的背面形成有多个用于隔离相邻所述像素区域的深沟槽;对衬底的背面执行刻蚀工艺形成第一内置透镜,第一内置透镜与像素区域相对应;在第一内置透镜的顶部形成第二内置透镜;形成填充层,填充层填充深沟槽并覆盖所述第二内置透镜;去除第二内置透镜上方的所述填充层,深沟槽处保留的填充层构成深沟槽隔离结构。通过设置双内置透镜,极大减少了辐射光损耗,并结合衬底背面的深沟槽隔离方式将相邻像素区域的光串扰现象降到最低,从而提高背照式图像传感器的成像质量。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路股份有限公司,未经合肥晶合集成电路股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310693151.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池管理系统及其校验方法
- 下一篇:乳化罐
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的