[发明专利]一种COOLMOS用硅外延片的制备方法在审
| 申请号： | 202310685812.3 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116525419A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 | 申请（专利权）人： | 中电科先进材料技术创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 100043 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种COOLMOS用硅外延片的制备方法。该方法包括：将晶圆放入工艺腔进行本征硅外延层预沉积；将进行本征硅外延层预沉积后的晶圆放入冷却腔进行冷却，并对工艺腔进行HCL刻蚀；将冷却后的晶圆放入刻蚀后的工艺腔，并对冷却后的晶圆进行薄层高阻硅外延层沉积。本申请能够提高COOLMOS用硅外延片的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 coolmos 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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