[发明专利]一种Si3 在审
| 申请号： | 202310646180.X | 申请日： | 2023-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN116874305A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄政仁;张慧慧;吴海波;袁明;姚秀敏;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/591 | 分类号： | C04B35/591;C04B35/596;C04B35/622;C04B38/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种Si |
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| 搜索关键词： | 一种 si base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 周涛 - 南通通州湾新材料科技有限公司;周涛
- 2018-08-16 - 2021-08-06 - C04B35/591
- 本发明提供一种氮化硅陶瓷的制备方法及其陶瓷覆铜板。该方法是将重量比为70％～95％的氮化硅和余量的硅粉球磨改性混料后与有机粘结剂密炼注塑成型脱脂后在氮气气氛中气压反应烧结得到氮化硅陶瓷，使用该陶瓷再在其上覆铜得到覆铜板。该方案使用少量硅粉反应烧结生成氮化硅原位粘连烧结氮化硅，在整个毛坯中参与反应的硅粉较少，能有效降低由于氮气渗透率不同导致陶瓷材料成分沿厚度方向不均的问题。在制备过程使用含量大于15％的β相氮化硅的氮化硅复合粉体，使得在烧结过程中β氮化硅有效的促进了α氮化硅向β氮化硅转化，并抑制晶粒异常长大的问题，而进一步提升陶瓷综合性能。
- 专利分类
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