[发明专利]一种改善高压器件电性的器件结构及其工艺方法在审
| 申请号： | 202310626333.4 | 申请日： | 2023-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN116646379A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 潘世友;张志刚;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善高压器件电性的器件结构及其工艺方法，在基底上形成依次相互间隔的第一至第六STI区；进行P型离子注入，第三、第四STI区之间的P型离子注入形成的区域作为高压P阱；在第二、第三STI区之间的有源区及第四、第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第一次离子注入；接着在第二、第三STI区之间的有源区及第四、第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第二次离子注入；第二次离子注入的能量小于第一次离子注入的能量；之后在第二、第三STI区之间的有源区及第四、第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第三次离子注入；第三次离子注入的能量小于第二次离子注入的能量；在第一、第二STI区之间的有源区及第五、第六STI区之间的有源区形成PDF区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 高压 器件 结构 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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