[发明专利]一种改善高压器件电性的器件结构及其工艺方法

权利要求书

1.一种改善高压器件电性的器件结构，其特征在于，至少包括：

基底；位于所述基底上依次相互间隔的第一至第六STI区；所述第一至第六STI区之间的区域为有源区；其中所述第三STI区与第四STI区之间形成有高压P阱；所述第二STI区和第三STI区之间的有源区以及第四STI区和第五STI区之间的有源区形成有NDF区；所述第一STI区和第二STI区之间的有源区以及第五STI区和第六STI区之间的有源区形成有PDF区；所述NDF区与PDF区边缘之间的距离为MS；所述第一、第二STI区之间PDF区浅区域以及第五、第六STI区之间的PDF浅区域形成有P+区；所述第二、第三STI区之间NDF浅区域以及第四、第五STI区之间的NDF浅区域形成N+区；

所述第三、第四STI区之间的高压P阱表面形成有栅氧层和HK介质层；所述HK介质层上形成有金属栅极。

2.根据权利要求1所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：所述MS的值为0.7μm。

3.根据权利要求1所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：所述金属栅极包括金属栅结构以及依附于所述金属栅结构侧壁的侧墙。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的改善高压器件电性的器件结构的工艺方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上形成依次相互间隔的第一至第六STI区；所述第一至第六STI区之间的区域为有源区；

步骤二、在所述基底上进行P型离子注入，所述第三STI区与第四STI区之间的所述P型离子注入形成的区域作为高压P阱；

步骤三、在所述第二STI区和第三STI区之间的有源区以及第四STI区和第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第一次离子注入；接着在所述第二STI区和第三STI区之间的有源区以及第四STI区和第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第二次离子注入；所述第二次离子注入的能量小于所述第一次离子注入的能量；之后在所述第二STI区和第三STI区之间的有源区以及第四STI区和第五STI区之间的有源区进行形成NDF区的第三次离子注入；所述第三次离子注入的能量小于所述第二次离子注入的能量；

步骤四、在所述第一STI区和第二STI区之间的有源区以及第五STI区和第六STI区之间的有源区形成PDF区；所述NDF区与PDF区边缘之间的距离为MS；所述MS的值为0.7μm；

步骤五、分别在所述第一、第二STI区之间PDF区浅区域以及第五、第六STI区之间的PDF浅区域形成P+区；分别在所述第二、第三STI区之间NDF浅区域以及第四、第五STI区之间的NDF浅区域形成N+区；

步骤六、在所述第三、第四STI区之间的高压P阱表面形成栅氧层和HK介质层；

步骤七、在所述HK介质层上形成金属栅极；所述金属栅极包括金属栅结构以及依附于所述金属栅结构侧壁的侧墙。

5.根据权利要求4所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：步骤一中的所述基底为P型基底。

6.根据权利要求4所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：步骤三中的所述第一次离子注入的能量为500KeV；注入剂量为6.4E12/cm2。

7.根据权利要求4所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：步骤三中的所述第二次离子注入的能量为200～300KeV；注入剂量为1.5～3E12/cm2。

8.根据权利要求4所述的改善高压器件电性的器件结构，其特征在于：步骤三中的所述第三次离子注入的能量为120KeV；注入剂量为1.5E12/cm2。